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3d nand
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科林研發推出 Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術 加速 3D NAND 記憶體微縮發展
科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術 Lam Cryo 3.0,實現更高精度與輪廓控制,蝕刻速度更快,生產良率提升,並降低耗能與碳排放。 科林研發 (Lam Research)宣布推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術...
科技應用
Mash Yang
2年前
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