Intel 完成首台商用高數值孔徑 EUV 微影設備組裝

Intel 完成組裝業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備，由ASML供應，將應用於 Intel 18A 之後的 14A 製程技術，有望在 2027 年正式啟用。

Intel宣布於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的研發基地中，已由研發人員完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備 (High NA EUV)組裝，預計在多項校準工作完成後，計畫於2027年正式啟用，並且將用於Intel 18A之後的Intel 14A製程產品。

此台高數值孔徑極紫外光微影設備是由ASML供應，並且將在下一世代處理器產品扮演關鍵角色，而Intel也將以此設備佈署更進一步的製程技術，並且有助於Intel 18A之後製程技術推進。

ASML近日宣布，位於荷蘭費爾德霍芬總部的高數值孔徑實驗室首次列印出10nm的高密度線路，創下EUV微影設備解析度的世界紀錄，成為EUV微影設備迄今為止列印出最精細的線路，而此項突破也讓ASML的合作夥伴蔡司 (ZEISS)在High NA EUV微影設備上的創新光學設計獲得驗證。

而當High NA UEV微影設備與Intel晶圓代工服務的其他製程技術結合時，列印尺寸預計將比現有EUV機台縮小1.7倍。由於2D尺寸縮小，密度將提高2.9倍，Intel將以此持續發展更小、更密集的圖像化 (pattterning)技術，進一步延伸摩爾定律。

<img alt="Intel 18A, Intel宣布佈署高數值孔徑極紫外光微影設備，將於Intel 18A後取得製程技術領先地位
以高數值孔徑極紫外光微影設備，開創晶片製造新格局, mashdigi－科技、新品、趣聞、趨勢” height=”666″ src=”https://best-goods.com.tw/wp-content/uploads/2024/06/c94a94cf3a160251.jpg?resize=1000%2C666&ssl=1″ title=”Intel宣布佈署高數值孔徑極紫外光微影設備，將於Intel 18A後取得製程技術領先地位” width=”1000″>

相較於0.33數值孔徑的EUV微影設備，高數值孔徑EUV微影設備 (或0.55數值孔徑的EUV微影設備)可為類似的晶片尺寸提供更高成像對比度，並且減少每次曝光所需的進光量，進而縮短每層列印時間，藉此提高晶圓廠的產能。

Intel計劃於2025年的Intel 18A產品驗證，以及未來的Intel 14A量產階段採用0.33與0.55數值孔徑的EUV微影設備，並且結合其他先進的微影製程技術，共同推進先進晶片的開發和製造，藉此改善其先進製程技術成本與效能。

在此之前，Intel已經預告Intel 18A製程技術將於今年第二季投入量產，預計將用於代號「Lunar Lake」的下一代Core Ultra筆電處理器，同時也將用於協助代工生產以Arm新款架構設計的處理器。