科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術 Lam Cryo 3.0，實現更高精度與輪廓控制，蝕刻速度更快，生產良率提升，並降低耗能與碳排放。
科林研發 (Lam Research)宣布推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術，藉此加速3D NAND記憶體在人工智慧時代的微縮應用發展，預計在10年內可協助記憶體業者實現1000層的3D NAND記憶體問世。
Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術，是科林研發旗下經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術，以及創新表面化學製程方式，藉此實現精度更高、輪廓可控性更高的蝕刻操作。
科林研發全球產品事業群資深副總裁Sesha Varadarajan表示，Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術將可實現創造1000層3D NAND記憶體技術基礎，具備以埃米級精度建立高深寬比 (HAR)特徵，蝕刻速率更是傳統介電層製程技術的2倍以上。
過去以來，3D NAND主要藉由儲存單元垂直層堆疊增加容量密度，其中主要藉由蝕刻技術形成儲存通道，而蝕刻過程的極小原子級誤差可能會產生電效能影響，進而影響生產良率，在Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術特殊的高功率侷限電漿反應器、製程改善與遠低於-0oC的溫度特性，搭配科林研發的Vantex介電層系統的可擴展脈衝電漿技術，將使蝕刻深度和輪廓控製程度明顯提高，其中可創造蝕刻深度高達10微米的儲存通道，並且讓頂部到底部關鍵尺寸誤差小於0.1%。
此外，Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術應用特性更包含更快的蝕刻速度，並且讓整體生產良率提升，另外整體生產耗能也能降低40%，更使碳排放量可減少多達90%，同時仍可讓記憶體業者能更大規模推動3D NAND記憶體生產效率。
基於人工智慧技術應用發展，進而帶動快閃記憶體效能與容量需求增加，科林研發預期在Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術應用之下，將能加速記憶體業者更快推出多達1000層設計的3D NAND記憶體產品。
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