美光8層堆疊24GB HBM3e記憶體正式量產，NVIDIA H200 Tensor Core GPU率先採用

美光Micron宣布兼具高效能、大容量且更節能的HBM3e記憶體已正式量產，同時NVIDIA H200 Tensor Core GPU為首款宣布採用美光8層堆疊的24GB HBM3e解決方案的產品，並於2024年第二季出貨。同時美光預計於2024年3月還將推出12層堆疊36GB HBM3e記憶體樣品，並成為NVIDIA GTC大會贊助夥伴，屆時將分享更多美光AI記憶體產品組合與藍圖。

▲於2023年11月公布的NVIDIA H200 Tensor Core GPU將是美光HBM3e的先行導入產品

HBM記憶體是當前高效能運算、AI應用、資料中心等不可或缺的記憶體技術，美光新一代HBM3e記憶體包括效能、效率與擴展性等特色；在效能方面，美光HBM3e可達到每腳位9.2Gbps的傳輸速率，頻寬達1.2TB/s；效率部分，HBM3e較競品約降低30%功耗，以最低能耗提供最大傳輸量，改善系統的營運成本指標；同時，美光HBM3e目前已提供24GB容量、後續將推出36GB容量，有助於大量資料處理與運算，尤其如訓練大型神經網路、加速推論處理都能提供充裕的頻寬與容量。

美光藉由1β技術與TSV(先進直通細晶穿孔)與其他創新技術，實現領先的HBM3e設計，與差異化的封裝解決方案；美光也是台積電3DFabric聯盟合作夥伴，以美光於記憶體2.5D、3D堆疊與先進封裝的領先技術，共同展望半導體與系統創新的未來。