三星宣布 2023 量產 12nm 製程 DDR5 記憶體,並完成與 AMD Zen 架構處理器相容認證

三星電子宣布完成業界首個基於 12nm 製程的 DDR5 記憶體顆粒開發,並預計於 2023 年進行量產,將鎖定包括運算、資料中心與人工智慧等應用領域。三星此新型 DDR5 記憶體採用 12nm 製程,單顆粒為 16Gb DDR5 容量同時也完成與 AMD 的記憶體顆粒的相容性認證。

▲三星 12nm 製程 DDR5 記憶體將可達 7.2Gbps 傳輸性能

三星 12nm DDR5 的關鍵技術是能增加電容的新型 High-K 材質與改善關鍵電路特性,結合 EUV 技術,使這項技術生產的顆粒能有業界最高的密度,同時能將晶圓生產良率提升 20% ;此外依據最新的 DDR5 規範,三星 12nm DDR5 記憶體顆粒最高可達 7.2Gbps ,但同時能耗較既有產品減少 23% 。

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